半導體廢氣處理技術
發布時間：
2023-09-11
廢氣產生的設備約有離子布值機，化學清洗站，蝕刻機，爐管，濺鍍機，有機溶劑與氣瓶柜等，其中有較高濃度污染的廢氣均先由該機臺所屬的Local Scrubber(局部洗滌機)先行處理后，在經由全廠之中央廢氣處理系統做三次處理后，再排入大氣中，以達到凈化氣體之功能。
廢氣產生的設備約有離子布值機，化學清洗站，蝕刻機，爐管，濺鍍機，有機溶劑與氣瓶柜等，其中有較高濃度污染的廢氣均先由該機臺所屬的Local Scrubber(局部洗滌機)先行處理后，在經由全廠之中央廢氣處理系統做三次處理后，再排入大氣中，以達到凈化氣體之功能。
晶圓廠的廢氣常含有酸，堿性或腐蝕性，故處理系統的管材就必須能耐酸、堿性或腐蝕性，故處理系統的管材就必須能耐酸、堿性，抗蝕性，甚至耐高溫及防水性等，故表八乃將常用材質及使用種類整理歸納。而其廢氣處理種類及方式如下：
1.一般性廢氣，其來源為氧化擴散爐的熱氣，烤箱及干式幫浦的排氣，此廢氣可直接排放至大氣。
2.酸、堿性之廢氣，來源為化學清洗站，具刺激性及有害人體。故一般以濕式洗滌塔做水洗處理后再排入大氣。洗滌塔利用床體或濕潤的表面可去除微米以上的粒子。其氣體與液體的接觸方式有交叉(垂直交叉)流式、同向流式及逆向流式三種，而水流的設計上，有噴嘴式，噴霧式，頸式及拉西環式等四種。
3.有機溶劑廢氣通常使用吸附式處理，其常用之吸附劑為活性碳，飽和后可以更換或以再生方式處理。
4.含毒氣性廢氣，其來源為化學氣相沈積，干蝕刻機，擴散，離子布值機及磊晶等制程時所產生。在經機臺本身的局部洗滌機的處理后，其后段的處理方法有吸附法，直接燃燒法及化學反應法等數種。尤其是薄膜成長和磊晶制程時SiH4氣體，須特別注意，因其為一俱爆炸及可燃性的氣體。所以單獨配管且先經一密閉堅固的燃燒室(Burning Box)，內通空氣稀釋SiH4至可燃之濃度，令它先行燃燒后再經濕式洗滌塔處理后排出室外。其反應方式為：
SiH4 + 2O2←SiO2 (粉末) + 2H2O其中SiO2粉末須定期清洗，以免污染及堵塞管路系統。另可采用KOH水溶液做為循環液系統，利用二者反應去除SiH 4，反應式如下：
SiH4 + 2KOH + H2O←K2SiO3 + 4H2再經濕式洗滌塔處理后排出。其它一些常用的毒性氣體，如AsH3,PH3, B2H6亦可以此類化學反應處理。
Copyright ? 2023 江蘇超源環保科技有限公司